Vishay vPolyTan™ 聚合物钽电容器Hi-Rel COTS系列，超低ESR-实时

新型先进设备取代陈旧过时的系统促进了航空电子、国防和太空领域应用的快速增长。这些新系统设备专门满足下一代航空、国防和航天需求。如针对 MIL-STD-704 标准规定的极端环境和电气特性而设计的敌友识别 (IFF) 系统、用于目标跟踪检测的相控阵雷达、航空电子控制和显示以及电力系统等。客户需要保持竞争力，这一需求推动着市场的发展。

这种现代化系统对电容器的容积效率、可靠性、额定电压和大容量提出了更高的要求。为满足这些需求，工程师们一直采用 Vishay 的 vPolyTan™ 固体聚合物钽电容器。

什么是聚合物钽电容器?

与大多数电容技术不同，固体聚合物钽电容器不使用阴阳极片。阳极由钽粉烧结成的钽颗粒制成。这种颗粒经过阳极氧化处理，整个阳极表面形成五氧化二钽(Ta₂O₅)介质层。然后, 用高导电聚合物浸渍氧化颗粒用作阴极。经过处理，导电聚合物层涂覆石墨，然后涂覆一层金属银，在电容芯与外部电极（引线框或其他电极）之间形成导电面。模塑片式聚合物钽电容器元件封装在塑料树脂中，如环氧树脂材料。选择的模塑化合物符合 UL 94 V-0 耐火等级和 ASTM E-595 脱气要求（见图1）。组装后，对电容器进行测试和检查，确保长期寿命和可靠性。

【资料图】

图1：模塑聚合物剖面示意图

导电聚合物与二氧化锰 (MnO₂) 钽电容

导电聚合物电容与二氧化锰 (MnO₂) 钽电容结构相似。二者的主要区别在于固体电解质使用的材料。标准 MnO₂电容器具有典型半导体导电性。导电聚合物电容器使用固有导电聚合物 (ICP) 材料，导电率高几个数量级。因此，导电聚合物电容器的等效串联电阻 (ESR) 大大低于 MnO₂电容器，并且降低了所需的电压降额。

聚合物电容器无热解/起火故障

导电聚合物电容器的另一个特点是材料中含氧量少，因此不存在起火故障。电容器电介质中的杂质产生高电流泄漏点。MnO₂钽电容器自愈作用的机理基于MnO₂分子热致变为电阻更大的Mn₂O₃+ O。泄漏电流导致温度上升到足够高时，形成 Mn₂O₃避免这种缺陷造成电流进一步增加，即“自愈”。如果这个过程中产生的游离氧分子与钽在足够高的温度下相互作用，会引燃并产生明火。如果聚合物电容器的电介质中出现同样的杂质，由于没有助燃的氧气，因此不存在起火故障。自愈时，疵点周围形成高电阻材料。

Vishay Hi-Rel 系列产品

表1：高额定电压聚合物电容器

电压降额

如前文所述，聚合物技术提高的耐压性允许更低的电压降额要求。除显著降低 ESR 之外，导电聚合物阴极还具有良性故障模式（如上所述），因此不需要加大降额来保证 MnO₂的安全性。如图2所示，10 V 以下额定电压 (V_R)，仅需 10% 降额，而在 V_R>10 V 的情况下，建议降额为 20%。这些指导原则适用于 105 ℃ 以下的温度。超过 105 ℃，在 V_R≤ 10 V，125℃ 条件下，建议降额线性下降至 40%。同样，V_R>10 V 的电容器，建议降额下降至 46%。

高电压

更好的降额准则意味着更高的工作电压，进而提高容积效率。典型聚合物电容器额定电压为 50 V，而 Vishay Sprague vPolyTan™ 技术目前可将额定电压提高到75 V。这样一来，聚合物电容可用于 MIL-STD-704, 28 V_DC总线（22 V_DC– 29 V_DC稳态）应用，温度达到 125℃ 需要电压隆额。聚合物电容器额定电压高，加之降额低，使其在容积效率方面优于其他电容器技术。

低ESR

由于阴极结构采用高导电性固有导电聚合物，因此聚合物电容器的 ESR 非常低，通常比 MnO₂钽电容器低 10 %。因此，这种器件特别适合高频和高纹波电流应用。

高可靠性

由于聚合物电容使用固体电解质，因此不像液体或凝胶电解电容器那样容易干燥。这种干燥过程是铝电解电容器的常见故障模式，并且会导致过热。当液体蒸发时，压力增加会导致液体泄漏、膨胀，甚至爆裂/爆炸。固体聚合物电容器没有这种故障机制，因此更可靠，使用寿命更长。与铝电解电容器不同，聚合物电容器可在较高温度下长时间工作，不会产生问题。

MAP技术

Vishay 多阵列封装 (MAP) 技术可在给定体积下实现容量最大化。其方法是缩小引线框，使实际电容器占有更大体积（见图3）。图3：MAP与模塑Hi-RelT54系列电容器利用 MAP 技术提高容积效率。MAP 结合双阳极设计，可显著降低 ESR 额定值（见下图4）。图4：T54MAP 技术结合超低 ESR 双阳极设计

堆叠电容器

利用 MAP 技术，Vishay 在T54系列中增加了堆叠选件，适用于占位面积小、容量大的应用。通过堆叠，多个电容器以并联阵列的形式组合在一起。电容器并联配置可增加容量，降低 ESR。堆叠选项包括 1x2（一个电容器宽，两个高）、1x3、2x2、2x3 和 3x2。额定容值范围 130 uF 至 2800 uF，额定电压范围 75V_DC至 16V_DC。还可以提供定制堆叠配置。这些堆叠式大容量配置有助于大量节省设计师的 PCB 空间。

图5:T54堆叠式聚合物电容器阵列

储能/大容量

Vishay 的 MAP 和堆叠阵列技术极大地提高了容积效率。这种大容量的提升使聚合物电容器成为储能和/或快速充放电应用的良好选择，如脉冲雷达、激光雷达、保持电路等。电容器储能公式

E = ½*CV²式中

E 为能量，单位焦耳

C 为容量，单位法拉

V 为额定电压，单位伏特

T54系列采用 E6 封装（2x3阵列），能量达 5 J/in2，以 900 uF / 35V_DC额定电压堆叠式聚合物电容器理想条件为准。

长期可靠性

与多层陶瓷或铝电解等竞争技术不同，由于上述特性，聚合物电容器无磨损，从而保证 Hi-Rel 国防和航天应用所需的长期可靠性。图6显示聚合物技术的长期稳定性，容量、漏电流和 ESR 随时间变化很小。

图6：长期稳定性（容量、漏电流和ESR变化）

广泛应用

高端服务器主板、MIL-STD-704 电源、相控阵雷达、敌友识别系统 (IFF)、网络基础设施、储能、功率调节、去耦、平滑、滤波、保持电路等。

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作者介绍：Kenneth Sanchez

Kenneth Sanchez 现任 Vishay 北美东部-钽器件部现场应用工程师。曾发表：《高分辨率近轴彩色成像系统》、《窄角光学成像系统在高分辨率彩色和单色应用中的使用方法》等论文。持有南佛罗里达大学电子工程学士学位。

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